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  直流电路中要想电路安全可靠，TVS管的最高反向工作电压不能低于1.2倍电路输入电压。直流电源或者其他输出系统要和TVS二极管并联，所以单向TVS二极管用的比较多。

  立体声音频放大器是一种专门设计用于处理立体声音频信号的放大器。它通常具有两个独立的放大通道，分别用于处理左声道和右声道的音频信号。立体声音频放大器的最大的目的是增强音频信号的幅度，以驱动立体声扬声器系统，从而提供高质量的音频输出。

  立体声放大器是一种音频放大设备，用于放大立体声音频信号并驱动立体声扬声器系统，以产生左右声道的音频输出。立体声放大器通常具有两个独立的放大通道，分别对应左右声道，以确保音频信号的相位和幅度在左右扬声器之间保持一致，以此来实现立体声效果。

  迷你音频放大器是一种用于增强信号强度的紧凑型音频设备。该放大器通过增强音量和清晰度来改善声音信号，带来身临其境的聆听体验。这些放大器很适合在狭窄拥挤的空间内使用的便携式音频系统。这些放大结构紧密相连且非常小，可以在某些设置下提供足够的放大效果。

  差分放大器，也称为差动放大器，是一种特殊的电子放大器。它的最大的作用是将两个输入端之间的电压差以一个固定的增益进行放大。这种放大器通常由两个参数特性相同的晶体管通过直接耦合方式构成。当两个输入端上分别输入大小相同且相位相同的信号时，差分放大器的输出为零，这一特性使得它可以有明显效果地地克服零漂问题。

  反相放大器是一种电子电路中的运算放大器，其特点是输入端的极性与输出端的极性相反。这在某种程度上预示着当输入信号进入反相放大器时，经过放大后输出的信号与原始输入信号的相位相反。

  运算放大器（Operational Amplifier，简称“运放”）是一种具有极高放大倍数的电路单元，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它的核心特性是，其输出信号可以是输入信号经过加、减、微分、积分等数学运算后的结果。由于早期主要被应用于模拟计算机中以实现数学运算，因此得名“运算放大器”。

  晶体振荡器是一种电子振荡器电路，用于压电材料振动晶体的机械谐振。它将产生具有给定频率的电信号。该频率通常用于记录时间，例如手表用于数字集成电路中以提供稳定的时钟信号，也用于稳定无线电发射器和接收器的频率。石英晶体大多数都用在射频（RF）振荡器。石英晶体是最常见的压电谐振器类型，在振荡器电路中，个人会使用它们，因此被称为晶体振荡器。晶体振荡器的设计一定要能提供负载电容。

  晶体振荡器是一种特殊的振荡器，它采用石英晶体作为频率控制元件。在石英晶体上按照一定方位角切下薄片，这个薄片称为晶片或石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。

  跟踪发射机是一种特殊的无线电通信设施，通常由信号发射机和定向天线组成。它的工作原理是，发射机发出无线电信号，这些信号覆盖整个预定的无线电波段，例如FM波段。这些信号可以被一个定向天线检测到，用于确定无线电信号的方位。天线指向发射机的方向将改善信号的接收能力。

  调频发射机，也被称为调频广播发射机，是一种无线电通信设施。其基本功能是将音频信号（如语音和音乐节目）转换为高频无线电波，并通过天线以无线方式发射出去。

  近年来，随着中国新基建、中国制造2025规划的持续推进，单ARM处理器越来越难胜任工业现场的功能要求，特别是如今能源电力、工业控制、智慧医疗等行业，往往更需要ARM + FPGA架构的处理器平台来实现例如多路/高速AD采集、多路网口、多路串口、多路/高速并行DI/DO、高速数据并行处理等特定功能，因此ARM + FPGA架构处理器平台愈发受市场欢迎。   因此，创龙科技一年前正式推出了国产化率100%的ARM + FPGA工业核心板，它基于全志T3 + 紫光同创Logos处理器设

  在推挽输出模式下，一个晶体管用于提供高电平输出，而另一个晶体管则用于提供低电平输出。当内部输出为1电平时，上边的晶体管（如MOS管）导通，同时下边的晶体管截止，这时输出高电平。

  过压保护电路是一种常见的电路保护设施。它的作用是在电路电压超过设定值时，立即切断电路，以保护电路中的元器件不被过高电压破坏。过压保护电路通常由过压保护器件和触发器件组成。

  半桥驱动电路根据控制信号的输入，在适当的时机控制高侧和低侧开关器件的导通与截止。通过精确控制开关的状态，半桥驱动电路能控制电源电压的输出和输出功率的调节。

  晶体管放大电路的静态工作点是指在没有输入信号时（即直流条件下），晶体管的集电极电压和集电极电流的值。静态工作点可拿来描述晶体管的偏置状态，通常使用直流负载线和直流电源电压来确定。

  发射极接地是一种电路配置，其中放大管（如晶体管）的发射极与地（或参考电压）相连。在发射极接地电路中，放大管的输入信号通过发射极电流控制放大管的操作。

  脉冲电镀是一种先进的电镀技术，它在传统直流电镀的基础上，利用脉冲电流代替连续电流，从而在镀层质量、镀层厚度控制以及节能降耗等方面具有非常明显优势。

  在普通的晶体管中，电流由电子与空穴搬运，其“具有两种极性”，所以被称为双极性晶体管。与此相比，N沟道FET是由电子来搬运电流的，P沟道FET是由空穴来搬运电流的，因此也称之为单极晶体管。